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R5007ANX

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Artikelnummer
R5007ANX
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 7A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.15000

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Artikelnummer
R5007ANX
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 7A TO220
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220FM
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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