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S1JL M2G

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Artikelnummer
S1JL M2G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
S1JL M2G.pdf
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Erfrischungspreis
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Artikelnummer
S1JL M2G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.1V @ 1A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
1.8µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
9pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
DO-219AB
Supplier Device Package
Sub SMA
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 175°C

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