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EFC6602R-A-TR

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Artikelnummer
EFC6602R-A-TR
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH EFCP
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Artikelnummer
EFC6602R-A-TR
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH EFCP
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)
-
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
2W
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-XFBGA, FCBGA
Supplier Device Package
EFCP2718-6CE-020

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