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PSMN069-100YS,115

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Artikelnummer
PSMN069-100YS,115
Hersteller
Nexperia
Beschreibung
MOSFET N-CH LFPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
PSMN069-100YS,115.pdf
Gesamt:$0.29920
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Artikelnummer
PSMN069-100YS,115
Hersteller
Nexperia
Beschreibung
MOSFET N-CH LFPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
72.4 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
645pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
56W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall
SC-100, SOT-669

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