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HAT2287WP-EL-E

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Artikelnummer
HAT2287WP-EL-E
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH WPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
HAT2287WP-EL-E.pdf
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$0.00000

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Artikelnummer
HAT2287WP-EL-E
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH WPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
17A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
94 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-WPAK
Paket / fall
8-PowerWDFN

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