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IPZ65R019C7XKSA1

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Artikelnummer
IPZ65R019C7XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V TO247-4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPZ65R019C7XKSA1.pdf
Gesamt:$24.95000
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(In US-Dollar)
1Stck
$24.95000

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Artikelnummer
IPZ65R019C7XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V TO247-4
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 58.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 2.92mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
215nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
9900pF @ 400V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
446W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-4
Paket / fall
TO-247-4

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