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US6M1TR

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Artikelnummer
US6M1TR
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
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Bleifrei / RoHS-konform
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Artikelnummer
US6M1TR
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
Teilestatus
Active
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V, 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.4A, 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
70pF @ 10V
Leistung max
1W
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package
TUMT6

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