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SIR401DP-T1-GE3

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Artikelnummer
SIR401DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIR401DP-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.45920
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$0.45920

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Artikelnummer
SIR401DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
310nC @ 10V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
9080pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5W (Ta), 39W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Paket / fall
PowerPAK® SO-8

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