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NP80N06PLG-E1B-AY

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Artikelnummer
NP80N06PLG-E1B-AY
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
NP80N06PLG-E1B-AY.pdf
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Artikelnummer
NP80N06PLG-E1B-AY
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
128nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
6900pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta), 115W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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