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DMN10H099SFG-7

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Artikelnummer
DMN10H099SFG-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN10H099SFG-7.pdf
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Artikelnummer
DMN10H099SFG-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
25.2nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1172pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
980mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerDI3333-8
Paket / fall
8-PowerWDFN

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