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IXFB50N80Q2

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Artikelnummer
IXFB50N80Q2
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXFB50N80Q2.pdf
Gesamt:$31.46720
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$31.46720

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Artikelnummer
IXFB50N80Q2
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
7200pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1135W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PLUS264™
Paket / fall
TO-264-3, TO-264AA

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