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DMN10H220L-13

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Artikelnummer
DMN10H220L-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN10H220L-13.pdf
Gesamt:$0.15266
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(In US-Dollar)
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$0.15266

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Artikelnummer
DMN10H220L-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
401pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23
Paket / fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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