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TSM2537CQ RFG

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Artikelnummer
TSM2537CQ RFG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TSM2537CQ RFG.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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Artikelnummer
TSM2537CQ RFG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN
Teilestatus
Active
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
11.6A (Tc), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
677pF @ 10V, 744pF @ 10V
Leistung max
6.25W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-VDFN Exposed Pad
Supplier Device Package
6-TDFN (2x2)

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