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FDMQ8203

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Artikelnummer
FDMQ8203
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$1.40000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.40000

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Artikelnummer
FDMQ8203
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V, 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3.4A, 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
210pF @ 50V
Leistung max
2.5W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
12-WDFN Exposed Pad
Supplier Device Package
12-MLP (5x4.5)

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