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R6002END3TL1

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Artikelnummer
R6002END3TL1
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
NCH 600V 2A POWER MOSFET
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Artikelnummer
R6002END3TL1
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
NCH 600V 2A POWER MOSFET
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
65pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
26W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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