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NTHS4111PT1G

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Artikelnummer
NTHS4111PT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
NTHS4111PT1G.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
NTHS4111PT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 24V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
ChipFET™
Paket / fall
8-SMD, Flat Lead

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