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RS1E240BNTB

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Artikelnummer
RS1E240BNTB
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RS1E240BNTB.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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Artikelnummer
RS1E240BNTB
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
24A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3900pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-HSOP
Paket / fall
8-PowerTDFN

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