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NTD4969N-35G

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Artikelnummer
NTD4969N-35G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 41A IPAK-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
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Artikelnummer
NTD4969N-35G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 41A IPAK-3
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9.4A (Ta), 41A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
837pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Paket / fall
TO-251-3 Stub Leads, IPak

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