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STI10N62K3

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Artikelnummer
STI10N62K3
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STI10N62K3.pdf
Gesamt:$2.39000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$2.39000

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Artikelnummer
STI10N62K3
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
620V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1250pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Paket / fall
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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