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DMN61D8LVT-13

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Artikelnummer
DMN61D8LVT-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN61D8LVT-13.pdf
Gesamt:$0.17962
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$0.17962

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Artikelnummer
DMN61D8LVT-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.74nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
12.9pF @ 12V
Leistung max
820mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package
TSOT-26

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