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SPD100N03S2L04T

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Artikelnummer
SPD100N03S2L04T
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 100A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SPD100N03S2L04T.pdf
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Artikelnummer
SPD100N03S2L04T
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 100A DPAK
Teilestatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
89.7nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3320pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-5
Paket / fall
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

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