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FCB20N60F-F085

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Artikelnummer
FCB20N60F-F085
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
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Artikelnummer
FCB20N60F-F085
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
195 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
102nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2035pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
405W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263AB
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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