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APTMC120AM55CT1AG

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Artikelnummer
APTMC120AM55CT1AG
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$188.17000
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(In US-Dollar)
1Stck
$188.17000

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Artikelnummer
APTMC120AM55CT1AG
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
49 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 2mA (Typ)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
98nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 1000V
Leistung max
250W
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
SP1
Supplier Device Package
SP1

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