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BAS516,L3F

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Artikelnummer
BAS516,L3F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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(In US-Dollar)
1Stck
$0.02760

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Artikelnummer
BAS516,L3F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
250mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.25V @ 150mA
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
3ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
200nA @ 80V
Kapazität @ Vr, F
0.35pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SC-79, SOD-523
Supplier Device Package
ESC
Betriebstemperatur - Übergang
150°C (Max)

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