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RW1A020ZPT2R

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Artikelnummer
RW1A020ZPT2R
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
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Artikelnummer
RW1A020ZPT2R
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
770pF @ 6V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
6-WEMT
Paket / fall
SOT-563, SOT-666

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