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SI3588DV-T1-E3

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Artikelnummer
SI3588DV-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI3588DV-T1-E3.pdf
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Artikelnummer
SI3588DV-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.5A, 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
830mW, 83mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package
6-TSOP

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