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2SJ610(TE16L1,NQ)

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Artikelnummer
2SJ610(TE16L1,NQ)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
2SJ610(TE16L1,NQ).pdf
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Artikelnummer
2SJ610(TE16L1,NQ)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.55 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
381pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
20W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PW-MOLD
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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