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STB80NF55L-08-1

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Artikelnummer
STB80NF55L-08-1
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STB80NF55L-08-1.pdf
Gesamt:$3.40000
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(In US-Dollar)
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$3.40000

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Artikelnummer
STB80NF55L-08-1
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4350pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Paket / fall
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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