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DMN2005UFG-7

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Artikelnummer
DMN2005UFG-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN2005UFG-7.pdf
Gesamt:$0.27432
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Artikelnummer
DMN2005UFG-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
18.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
164nC @ 10V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
6495pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.05W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerDI3333-8
Paket / fall
8-PowerWDFN

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