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SIRA52DP-T1-GE3

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Artikelnummer
SIRA52DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIRA52DP-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.61600
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Artikelnummer
SIRA52DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
7150pF @ 20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
48W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Paket / fall
PowerPAK® SO-8

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