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SCT2750NYTB

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Artikelnummer
SCT2750NYTB
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
1700V .75 OHM 6A SIC FET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$4.31050
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$4.31050

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Artikelnummer
SCT2750NYTB
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
1700V .75 OHM 6A SIC FET
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
975 mOhm @ 1.7A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 630µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 18V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
275pF @ 800V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
57W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-268
Paket / fall
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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