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DMG1016UDW-7

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Artikelnummer
DMG1016UDW-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMG1016UDW-7.pdf
Gesamt:$0.09600
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$0.09600

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Artikelnummer
DMG1016UDW-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Teilestatus
Active
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.07A, 845mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.74nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
60.67pF @ 10V
Leistung max
330mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
SOT-363

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