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FDD86367-F085

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Artikelnummer
FDD86367-F085
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.71333
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Artikelnummer
FDD86367-F085
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
88nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4840pF @ 40V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
227W (Tj)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D-PAK (TO-252)
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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