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APT6M100K

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Artikelnummer
APT6M100K
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
APT6M100K.pdf
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Artikelnummer
APT6M100K
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1410pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
225W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220 [K]
Paket / fall
TO-220-3

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