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EM6M1T2R

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Artikelnummer
EM6M1T2R
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
EM6M1T2R.pdf
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(In US-Dollar)
1Stck
$0.14500

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Artikelnummer
EM6M1T2R
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V, 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
13pF @ 5V
Leistung max
150mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package
EMT6

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