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FDMS3600AS

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Artikelnummer
FDMS3600AS
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDMS3600AS.pdf
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(In US-Dollar)
1Stck
$0.81972

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Artikelnummer
FDMS3600AS
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
15A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1770pF @ 13V
Leistung max
2.2W, 2.5W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
Power56

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