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GP2M011A090NG

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Artikelnummer
GP2M011A090NG
Hersteller
Global Power Technologies Group, Inc.
Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
GP2M011A090NG.pdf
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Artikelnummer
GP2M011A090NG
Hersteller
Global Power Technologies Group, Inc.
Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
84nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3240pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
416W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3PN
Paket / fall
TO-3P-3, SC-65-3

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