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NTB30N06T4G

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Artikelnummer
NTB30N06T4G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
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Artikelnummer
NTB30N06T4G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
27A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
88.2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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