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1N5806US

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Artikelnummer
1N5806US
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$9.05000
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(In US-Dollar)
1Stck
$9.05000

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Artikelnummer
1N5806US
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
150V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
875mV @ 1A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
25ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
1µA @ 150V
Kapazität @ Vr, F
25pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SQ-MELF, A
Supplier Device Package
D-5A
Betriebstemperatur - Übergang
-65°C ~ 175°C

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