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IPA60R099C6XKSA1

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Artikelnummer
IPA60R099C6XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPA60R099C6XKSA1.pdf
Gesamt:$7.24000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$7.24000

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Artikelnummer
IPA60R099C6XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
37.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99 mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.21mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
119nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2660pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-FP
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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