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VT6M1T2CR

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Artikelnummer
VT6M1T2CR
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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(In US-Dollar)
1Stck
$0.05580

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Artikelnummer
VT6M1T2CR
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Teilestatus
Active
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
7.1pF @ 10V
Leistung max
120mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package
VMT6

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