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QS6J11TR

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Artikelnummer
QS6J11TR
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
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Artikelnummer
QS6J11TR
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
770pF @ 6V
Leistung max
600mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package
TSMT6 (SC-95)

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