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DTB123YUT106

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Artikelnummer
DTB123YUT106
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DTB123YUT106.pdf
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Erfrischungspreis
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$0.09051

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Artikelnummer
DTB123YUT106
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Teilestatus
Active
Transistortyp
PNP - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.)
500mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce
56 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200MHz
Leistung max
200mW
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package
UMT3

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