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FDD850N10L

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Artikelnummer
FDD850N10L
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDD850N10L.pdf
Gesamt:$0.39748
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Artikelnummer
FDD850N10L
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
15.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
28.9nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1465pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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