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BSB024N03LX G

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Artikelnummer
BSB024N03LX G
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 145A 2WDSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSB024N03LX G.pdf
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Artikelnummer
BSB024N03LX G
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 145A 2WDSON
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
27A (Ta), 145A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4900pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / fall
3-WDSON

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