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RN1116MFV,L3F

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Artikelnummer
RN1116MFV,L3F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.02898
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$0.02898

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Artikelnummer
RN1116MFV,L3F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Teilestatus
Active
Transistortyp
NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung max
150mW
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SOT-723
Supplier Device Package
VESM

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