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RN1106MFV,L3F

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Artikelnummer
RN1106MFV,L3F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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$0.02657

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Artikelnummer
RN1106MFV,L3F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN
Teilestatus
Active
Transistortyp
NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
-
Leistung max
150mW
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SOT-723
Supplier Device Package
VESM

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