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TSM80N1R2CP ROG

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Artikelnummer
TSM80N1R2CP ROG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TSM80N1R2CP ROG.pdf
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Artikelnummer
TSM80N1R2CP ROG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
19.4nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
685pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252, (D-Pak)
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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