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IRLM220ATF

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Artikelnummer
IRLM220ATF
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRLM220ATF.pdf
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Artikelnummer
IRLM220ATF
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.13A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800 mOhm @ 570mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
430pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-223-4
Paket / fall
TO-261-4, TO-261AA

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