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STL18N60M2

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Artikelnummer
STL18N60M2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STL18N60M2.pdf
Gesamt:$3.22335
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$3.22335

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Artikelnummer
STL18N60M2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
308 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
21.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
791pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
57W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerFlat™ (5x6) HV
Paket / fall
8-PowerVDFN

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